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USAmicroPLD
Technologie: Dünnschichtabscheidung unter UHV-Bedingungen
Anwendungen:
Laser-MBE hochwertiger Dünnfilme
Materialien:
Metalle, komplexe Oxide, Nitride, Carbide
Schleuse und UHV-Kammer:
Ultrahochvakuumbedingungen sind bei der Laser-MBE hochwertiger Dünnfilme von großem Vorteil. Zur Erzielung kurzer Pumpzeiten werden die drei nutzbaren Targets und das Substrat auf speziellen Trägern aufgenommen und mit einer universellen Transferstange mit Bajonettkopf in die UHV-Kammer aus nichtmagnetischem Stahl eingeschleust.
Schichtsynthese:
Schichtsynthese:
Bei einem Basisdruck im 10-10 mbar-Bereich kann die Restgaszusammensetzung mit einem Massenspektrometer überwacht werden. Mittels eines Massendurchflussreglers ist ein definierter Hintergrundgasdruck (N2, Ar etc.) einstellbar.
Einem computergesteuerten Targetmanipulator-Karussell (mit drei indizierbaren Positionen für 1“ Targets) steht ein 1 x 1 cm2 Substrat gegenüber. Das Substrat ist bis 1100°C heizbar, euzentrisch kippbar, motorisiert rotierbar sowie isolierend aufgenommen. Eine synchronisierte 2-Achs-Drehung sorgt für gleichmäßigen Abtrag der Targets.
Optionen:
Der Verlauf der Schichtsynthese kann mittels RHEED und Spektralellipsometrie verfolgt werden. Magnetspulen zur partikulatfreien Abscheidung, Ionenquellen zur ionenstrahlgestützen Abscheidung, Scanner zur in situ-Strukturierung abgeschiedener Schichten, sowie Masken zwischen Target und Substrat („combinatorial PLD“) können optional implementiert werden. In Kombination mit einer Mikrobearbeitungsstation, mit der eigene Masken hergestellt oder synthetisierte Schichten strukturiert werden können, wird die microPLD zum universell einsetzbaren Forschungsgerät.